Industry

Mae egwyddor graidd moduron DC yn seiliedig ar anwythiad electromagnetig: pan fydd cerrynt yn mynd trwy'r dirwyniadau stator, cynhyrchir maes magnetig

Mae cysyniad dylunio'r Transistor Deubegynol Gate Insulated (IGBT) yn canolbwyntio ar gyfuno manteision MOSFETs pŵer a transistorau cyffordd deubegwn

Sut i Gynnal a Chadw Transistorau Deubegwn Gate Inswleiddiedig (IGBT)

Mewn topolegau hanner pontydd/pont llawn, mae angen mewnosod amser marw (0.5~2μs fel arfer) wrth newid y transistorau uchaf ac isaf i atal cylchedau b

Yn debyg i MOSFETs, mae IGBTs yn ddyfeisiau sy'n cael eu gyrru gan foltedd, gyda'r giât yn defnyddio bron dim cerrynt, sy'n gwneud y gylched yrru yn s

Yn gweithredu fel dyfais newid i gyflawni trawsnewidiad effeithlon rhwng DC ac AC (fel gwrthdroad DC/AC).

Mae Transistor Deubegynol Gât Inswleiddiedig (IGBT) yn ddyfais lled-ddargludyddion pŵer cyfansawdd a reolir yn llawn gan foltedd sy'n cyfuno rhwystria

Modiwlau allwedd robot humanoid (yn enwedig modiwlau ar y cyd) yw'r cydrannau craidd ar gyfer cyflawni symudiad uchel-dynamig ac uchel-manwl.

Fel systemau dynol integredig iawn fel systemau deallus, mae robotiaid humanoid yn dibynnu ar fodiwlau allweddol sydd gyda'i gilydd yn cefnogi galluoe

Mae Transistor Deubegynol Gât Inswleiddiedig (IGBT) yn ddyfais lled-ddargludyddion pŵer cyfansawdd wedi'i rheoli'n llawn a yrrir gan foltedd sy'n cyfu

Yn mabwysiadu strwythur dirwyn i ben ffracsiynol{0}}slot a dull paru slotiau aml-polyn, lleihau dirwyniadau pen, lleihau dimensiynau echelinol a chyff

Mae cynnal modur stepper yn hanfodol ar gyfer sicrhau ei sefydlogrwydd gweithredol ac ymestyn ei oes gwasanaeth.